Elpida завершила разработку памяти DDR3 SDRAM, рассчитанной на производство по нормам 50 нмКрупнейший японский производитель памяти типа DRAM объявил о завершении разработки памяти DDR3 SDRAM, рассчитанной на производство по нормам 50 нм. Новый продукт, как утверждается, имеет минимальное в отрасли энергопотребление. Напряжение питания памяти равно 1,2 В. Стоит отметить, что память рассчитана и на большие напряжения, в том числе, на стандартное для памяти типа DDR3 напряжение 1,5 В, и на пониженное напряжение 1,35 В. Максимальная пропускная способность памяти составляет 2,5 Гбит/с (поддерживаются скорости обмена 800, 1066, 1333, 1600, 1866, 2133 и 2500 Мбит/с). К другим достоинствам памяти, рассчитанной на выпуск 50-нанометровой технологии, является самый маленький в отрасли размер чипа — менее 40 кв.мм. Первое время память типа DDR3 SDRAM будут использоваться в настольных ПК верхнего сегмента. Постепенно круг ее приложений расширится в сторону ноутбуков и серверов — туда, где сейчас господствует память DDR2 SDRAM. Массовый выпуск памяти DDR3 SDRAM по нормам 50 нм Elpida Memory рассчитывает начать в первом квартале будущего года. Источник: Elpida Memory Чтобы разместить новость на сайте или в блоге скопируйте код:
На вашем ресурсе это будет выглядеть так
Крупнейший японский производитель памяти типа DRAM объявил о завершении разработки памяти DDR3 SDRAM, рассчитанной на производство по нормам 50 нм.
|
|