IBM и Hitachi будут вместе создавать транзисторы нового поколения

Источник материала:

Корпорации IBM и Hitachi анонсировали совместную программу исследований в области полупроводниковых технологий, рассчитанную на двухлетний период. Как сказано в пресс-релизе, сотрудничество должно «ускорить темп инноваций» в отрасли. Соглашение, подписанное сторонами, можно назвать знаковым — Hitachi и IBM объединяют усилия в указанной области впервые. До этого у них были другие точки соприкосновения: например, производство серверов и других продуктов для корпоративного рынка

Миниатюризация полупроводниковых приборов, являющаяся движущей силой повышения производительности компьютерных микросхем, вплотную подвела компании к необходимости освоения норм 32 и 22 нм. Предметом сотрудничества сторон является создание транзисторов нового поколения, включая разработку методов анализа полупроводниковых приборов и структур, которые позволят улучшить технологию снятия характеристик и измерения параметров. Кроме того, эти методы должны помочь лучше понять физику процессов, протекающих в транзисторах.

Участники программы будут фокусировать свое внимание на освоении норм 32 нм и менее. Инженеры двух компаний и дочернего предприятия Hitachi — Hitachi High-Technologies — будут работать совместно в исследовательском центре IBM имени Томаса Уотсона (Thomas J. Watson Research Center) и в нанотехническом комплексе (College of Nanoscale Science and Engineering’s Albany NanoTech Complex), которые расположены в штате Нью-Йорк.

Источник: IBM