NAND-память с многоуровневой структурой ячеек от Intel и Micron

Источник материала:

Intel и Micron Technology сообщили о начале поставок NAND-памяти с многоуровневой структурой ячеек, каждая из которых способна хранить три бита данных (3 bit per cell, 3bpc). Новые микросхемы создаются в соответствии с нормами 25-нанометрового техпроцесса, благодаря чему достигается наибольшая емкость при наименьших размерах. Поставки образцов микросхем производятся некоторым производителям, а серийное производство планируется начать к концу текущего года.

Новые модули памяти 3bpc, изготавливаемые с применением 25-нм техпроцесса, вмещают по 64 Гбит данных. По сравнению с продуктами предыдущих поколений они обладают меньшей себестоимостью и увеличенной емкостью и предназначены для USB-накопителей, карт памяти и потребительской электроники.

Новая технология разработана совместным предприятием IM Flash Technologies (IMFT). В модулях NAND 64 Гбит (8 ГБайт) каждая ячейка хранит по три бита данных против двух бит в технологии предыдущего поколения. Это трехуровневая ячейка (triple-level cell, TLC).

Новый модуль на 20% компактнее по сравнению с другими модулями аналогичной емкости, производимыми Intel и Micron на базе технологии 25 нм MLC и в настоящее время является самым миниатюрным чипом емкостью 8 Гбайт в серийном производстве. Компактность играет важную роль для карт памяти. Площадь изделия составляет 131 кв.мм, оно помещается в стандартный тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами (TSOP).