Компания Samsung первой начала серийный выпуск 51-нм флэш-памяти типа NAND плотностью 16 Гбит

Источник материала:

Теперь доступна и текстовая версия!

Поиск




расширенный поиск


Hardware

· Компания Samsung первой начала серийный выпуск 51-нм флэш-памяти типа NAND плотностью 16 Гбит

· IBM планирует использовать в мэйнфреймах процессор для игровых консолей

· Новому Core 2 Quad Q6600 новый степпинг и TDP 95 Вт


Software

· Panda Software: Malware Radar - автоматизированное решение для полной проверки корпоративных сетей

· Безопасность: WinPatrol v.19.4.2007

· Утилиты: doPDF v.5.0.216


Новости игр

· Обновление для MotorStorm выйдет в мае

· Новые демо-версии (The Hell in Vietnam, Nancy Drew: The White Wolf of Icicle Creek)

· Snakeball: еще одна игра, которая задействует возможности PlayStation Eye


Новости рынка

· Поставки MP3-прееров MPIO в Россию прекращены

· Siemens везет выставку Exiderdome в Россию

· ZyXEL начинает поставки IP DSL-коммутаторов IES-6000


EntGadgets

· A&T Trade: стереоресивер Onkyo TX-8222

· HDI Show - 2007: стенд компании SVEN

· Портативные наушники KOSS KSC13


MacLife News

· Стив Джобс полагает, что в iTunes не нужна подписочная модель

· Apple выпустит еще один пакет для создания web-страниц?

· Apple будет наращивать функциональность iPhone и Apple TV с помощью апдейтов ПО



Воскресенье, 29 Апреля, 2007



Компания Samsung первой начала серийный выпуск 51-нм флэш-памяти типа NAND плотностью 16 Гбит  Accent @ 12:07
   

По сообщению южнокорейской компании Samsung Electronics, она стала первым производителем флэш-памяти, развернувшим серийное производство чипов NAND максимальной на сегодняшний день плотности - 16 Гбит. Новая память выпускается по нормам 51 нм. По словам Samsung, это тоже своеобразный рекорд – минимальные для серийного производства флэш-памяти NAND нормы.

По сравнению с 60-нм техпроцессом, выпуск с соблюдением норм 51 нм позволяет, по оценке Samsung, повысить эффективность производства на 60%. Примечательны темпы, с которыми компания осваивает все более тонкие нормы: о серийном выпуске 60-нм чипов NAND плотностью 8 Гбит было объявлено всего лишь восемь месяцев назад, в августе прошлого года, а ознакомительные образцы флэш-памяти типа NAND плотностью 16 Гбит, изготовленные по более тонким нормам, были представлены в январе.

Использование 16-гигабитных чипов MLC (multi-level cell) позволит выпускать карточки памяти объемом 16 Гб. Другим выигрышем является повышение быстродействия – уменьшение норм позволило поднять скорости чтения и записи примерно на 80% по сравнению с чипами текущего поколения. В частности, скорость чтения равна 30 Мб/с, а записи – 8 Мб/с. Для сравнения – у 60-нм чипов эти показатели равны 17 и 4,4 Мб/с, соответственно.

Прирост скорости обусловлен увеличением размеров страниц: операции в 60-нм чипах выполняются над страницами размером 2 Кб, а в 51-нм чипах плотностью 16 Гб размер страницы удвоен и составляет 4 Кб. Это изменение будет учтено в аппаратных и программных средствах продуктов на базе новой флэш-памяти, которые намерена предложить компания. Речь, в частности, идет о памяти для сотовых телефонов и проигрывателей MP3. Контроллеры для карточек памяти, поддерживающие работу со страницами размером 4 Кб, уже доступны.

Источник: Samsung Electronics