Главная
Гороскопы
В феврале будущего года Samsung покажет чипы DRAM плотностью 8 ГбитНе международной конференции International Solid State Circuits Conference, которая пройдет в феврале, компания Samsung покажет память DRAM плотностью 4 и 8 Гбит, утверждает источник. На этом же мероприятии специалисты Toshiba и SanDisk представят чипы флэш-памяти типа MLC NAND плотностью 64 Гбит, каждая ячейка которых способна хранить четыре бита информации. Корпорация Intel будет доминировать на заседании, посвященном процессорам. Она подготовила четыре из восьми запланированных докладов. В частности, будет представлен восьмиядерный x86-совместимый процессор для серверов, в котором используется 2,3 миллиарда транзисторов. Интересно, что другие крупные разработчики процессоров — AMD, IBM, Fujitsu и Sun Microsystems — не планируют выступать на конференции с докладами. В упомянутых выше компонентах памяти Samsung плотностью 8 Гбит используются технологии вертикальной компоновки. Четыре чипа плотностью 2 Гбит соединены между собой с помощью «связи сквозь кремний» (through-silicon vias). В докладе южнокорейского производителя описаны технологии проверки и коррекции, позволяющие существенно увеличить процент выхода годной продукции. Источник: EE Times Чтобы разместить новость на сайте или в блоге скопируйте код:
На вашем ресурсе это будет выглядеть так
Не международной конференции International Solid State Circuits Conference, которая пройдет в феврале, компания Samsung покажет память DRAM плотностью 4 и 8 Гбит, утверждает источник.
|
|