Innovative Silicon рассказала о «прорывах» в технологии памяти Z-RAM

Источник материала:

Компания Innovative Silicon, Inc. (ISi), разработавшая память Z-RAM, в которой используется технология «памяти с плавающим телом» (FBM), рассказала на конференции 2008 IEEE International SOI Conference о своих успехах в развитии Z-RAM. Достижения компании, по ее мнению, носят характер «прорывов» и подтверждают преимущества Z-RAM как над другими видами памяти FBM, так и над DRAM.

Представители компании представили описание самой миниатюрной кремниевой ячейки памяти из когда-либо представленных, имеющей самое большое «окно программирования». Кроме того, были освещены улучшения, позволяющие увеличить время хранения информации в Z-RAM и снизить ток утечки.

В упомянутой миниатюрной ячейке, о которой говорилось в докладе «Ultra-scaled Z-RAM cell», используется транзистор с несколькими затворами MUGFET (Multiple-gate SOI MOSFET). Длина затвора равна 50 нм, а ширина — 11 мм. Моделирование показывает, что базовые принципы работы сохраняются при уменьшении длины затвора транзистора ячейки Z-RAM до 12,5 нм и ширины — до 3 нм.

Кроме того, указанная ячейка имеет самое большое значение параметра, известного, как «окно программирования». Измеряемая, как разница между токами в единичном и нулевом состоянии, эта величина для MUGFET примерно равна 22 мкА.

Источник: ISi