Главная
Гороскопы
В 22-нм техпроцессе, вероятнее всего, будет использоваться EUVПо словам Курта Ронса (Kurt Ronse), директора программы передовой литографии в IMEC, наиболее вероятной технологией при освоении норм 22 нм и менее является литография в «жестком» ультрафиолетовом диапазоне (EUV). Пока пропускная способность прототипа соответствующего оборудования примерно равна 2,5 пластины в час. Чтобы приблизиться к показателям оборудования для оптической литографии, предстоит увеличить это значение до 100 пластин в час. Вступая перед прессой на мероприятии IMEC Annual Research Review Meeting, Ронс сказал, что ни один из двух способов, рассматриваемых в качестве средства для расширения возможностей иммерсионной литографии, похоже, не даст удовлетворительных результатов. В частности, способ, построенный на увеличении показателя преломления иммерсионной среды, не принес успеха, поскольку темпы разработки соответствующего материала отстают от графика ITRS. Это выводит EUV на первый план. Предсерийные образцы EUVL-оборудования IMEC рассчитывает иметь в начале 2010 года. Первые экспериментальные образцы такого оборудования компания ASML Holdings NV отправила заказчикам, в числе которых был институт, в 2006 году. Пока с его помощью удалось изготовить 32-нм чипы SRAM. Источник: EE Times Чтобы разместить новость на сайте или в блоге скопируйте код:
На вашем ресурсе это будет выглядеть так
По словам Курта Ронса (Kurt Ronse), директора программы передовой литографии в IMEC, наиболее вероятной технологией при освоении норм 22 нм и менее является литография в «жестком» ультрафиолетовом диапазоне (EUV). Пока пропускная способность прототипа соответствующего оборудования примерно равна 2,5 пластины в час. |
|