Samsung и IBM будут работать над новыми полупроводниковыми технологиями

Источник материала:

Samsung и IBM будут работать над новыми полупроводниковыми технологиями

CyberSecurity IBM и Samsung объявили о партнерстве в области фундаментальных исследований по таким направлениям как новые полупроводниковые материалы, производственные процессы и передовые технологии. Соглашение предусматривает совместную разработку новой технологии производства полупроводниковых элементов, которые могут быть использованы в широком спектре электронных устройств, от "разумных" телефонных трубок до инфраструктуры связи.

Впервые ученые Samsung присоединятся к ученым IBM, сотрудничая в рамках "Альянса по исследованиям в области полупроводниковых технологий" – Semiconductor Research Alliance. Работы будут проводиться в научно-исследовательском центре Albany Nanotech Complex, расположенном в городе Олбани, штат Нью-Йорк. Перспективные разработки – как результат этих совместных исследований – позволят, как ожидается, достигнуть лидирующих в отрасли характеристик производительности, энергосбережения и компактности кремниевых полупроводниковых элементов.

Нынешняя исследовательская инициатива также расширяет соглашение между IBM и Samsung о совместных разработках технологических процессов (Joint Development Agreement, JDA), распространяя исследования до технологических норм начиная с 20 нанометров. IBM и Samsung планируют разработать инновационные технологии для своих клиентов из числа производственных компаний, обеспечивая высокую производительность и энергетическую эффективность чипов в рамках технологических норм 20 нм и ниже.

Решения для полупроводниковой КМОП-технологии с нормами 20 нм (и ниже) будут представлены на форуме Common Platform Technology, который пройдет 18 января 2011 года в выставочном центре Santa Clara Convention Center (Санта-Клара, штат Калифорния)