Intel перейдет на транзисторы с тремя затворами
04.05.2011 17:24
—
Новости Hi-Tech
|
![]() Транзисторы 3-D Tri-Gate будут изготовляться по 22-нанометровому технологическому процессу. Они имеют не один, а три затвора. Такая структура, заявляет Intel, снижает сопротивление при прохождении электронов через транзистор, когда он находится в открытом состоянии, и почти полностью перекрывает поток электронов в закрытом. Чтобы разместить новость на сайте или в блоге скопируйте код:
На вашем ресурсе это будет выглядеть так
Компания Intel начнет выпуск микропроцессоров, в основе которых будут лежать транзисторы новой структуры 3-D Tri-Gate, сообщается в поступившем в редакцию "Ленты.ру"... |
|