AMD изготавливает пробные чипы с применением EUV-литографии, продвигаясь к освоению норм 22 нм

Источник материала:

По словам компаний AMD и IBM, им удалось изготовить работоспособные тестовые образцы чипов с применением для литографии жесткого ультрафиолетового излучения (Extreme Ultra-Violet, EUV). Этап EUV-литографии был задействован для изготовления критически важного первого слоя металлических соединений по всей площади чипа размерами 22 x 33 мм, производимого по нормам 45 нм. Предыдущие проекты ограничивались применением EUV-литографии для формирования локальных компонентов, занимающих очень небольшую часть схемы.

Напомним, литография применяется для послойного формирования элементов чипов, состоящих из миллионов транзисторов. Поскольку проектировщики микросхем продолжают добавлять функциональность и увеличивать производительность своих изделий, плотность размещения транзисторов должна увеличиваться. Насколько маленькими могут быть сделаны транзисторы и металлические линии, которые соединяют их, непосредственно связано с длиной волны света, который используется для литографии. EUV-литография использует длину волны 13,5 нм, что значительно короче чем 193 нм — длина волны излучения, применяемого сегодня.

Тестовые чипы были изготовлены в Германии, на фабрике AMD Fab 36 с применением иммерсионной 193-нм литографии — наиболее совершенной технологии современного массового производства. Затем пластины были отправлены в исследовательский центр IBM в США, где с помощью EUV-сканера, созданного специалистами ASML, на них был сформирован первый слой металлических соединений между транзисторами. После экспонирования, травления и металлизации, чипы успешно прошли тестирование.

Таким образом, результаты совместной работы AMD и IBM подтвердили возможность интеграции EUV-литографии в стандартный технологический процесс. Стороны, участвующие в проекте, отметили высокое значение полученных результатов для дальнейшего развития технологии.

Следующим этапом освоения EUV-литографии должно стать изготовление не только металлических связей, но и других критически важных слоев чипа. Технология EUV-литографии должна быть полностью готова до 2016 года, когда, согласно плану International Technology Roadmap for Semiconductors, ожидается освоение норм 22 нм.

Источник: AMD