Toshiba показала флэш-память, изготовленную по нормам 10 и 8 нм

Источник материала:

На завершившемся вчера мероприятии International Electron Devices Meeting (IEDM) компания Toshiba побила свой собственный рекорд плотности памяти.

В прошлом году Toshiba рассказала о разработке технологии, построенной на использовании слоя материала с двойным туннельным переходом, которая позволит выпускать с применением норм 10 нм микросхемы памяти плотностью более 100 Гбит.

Недавно компания показала чип, выполненный по нормам 15 нм, а на IEDM были показаны образцы, изготовленные по нормам 10 и 8 нм. Во всех случаях была использована упомянутая выше технология, построенная на применении структур типа SONOS (silicon oxide nitride oxide semiconductor). В ячейках памяти, образованных структурами SONOS, электроны хранятся в слое изолятора затвора транзистора.

Специалистам Toshiba удалось показать, что 10-нанометровые затворы транзисторов в памяти SONOS способны длительно хранить информацию (в течение десяти лет). Такие же способности продемонстрировали ячейки памяти, изготовленной по нормам 8 нм. В последнем случае толщина слоя нанокристаллов кремния, заключенного между пленками оксида толщиной 1 нм, составляет всего лишь 1,1 нм.

Источник: EE Times