Технология TSV помогла Samsung существенно повысить плотность памяти

Источник материала:

Теперь доступна и текстовая версия!

Поиск




расширенный поиск


Hardware

· OKI выводит на рынок первый в мире УФ-датчик, выполненный по технологии SOI-CMOS

· Intel снижает цены на семейство Core 2 и незаметно анонсирует модели E6320 и E6420

· Специалисты Akita Elpida «упаковали» 20 чипов в MCP толщиной 1,4 мм


Software

· Утилиты: nCleaner Second Generation v.2.3

· Утилиты: IconPackager v.3.2

· Офисные приложения: EverNote v.2.0.0.261


Новости игр

· Shadowrun для PC и Xbox 360: в чем разница?

· Экшен Too Human: новые детали (Xbox 360)

· Новые скриншоты (Project Offset, WarDevil: Enigma, Tomb Raider Anniversary)


Новости рынка

· Россвязьнадзор выдал сети «МегаФон-Москва» лицензию на ТВ-трансляции

· HP сообщает о старте проекта «Электронный гид по Оружейной палате»

· «Скай Линк» начинает продажи Sky Turbo-модема AnyDATA ADU310A


EntGadgets

· Фото дня: бумажные модели Xbox 360 и HD DVD привода

· ATEN: новый HDMI-переключатель для домашнего кинотеатра

· Universal Pictures Rus: анонс DVD-релиза фильма «300 спартанцев»


MacLife News

· Новые пакеты Apple получили награды на выставке NAB

· Ambrosia выпустила Mac-версию игры DEFCON

· Fastmac представила дисководы Blu-Ray для ноутбуков Apple



Понедельник, 23 Апреля, 2007



Технология TSV помогла Samsung существенно повысить плотность памяти  Accent @ 10:45
   

Компания Samsung Electronics объявила о разработке, в которой используется технология «связи сквозь кремний» (through silicon via, TSV). Как сообщается, это достижение поможет вскоре создать модули памяти, которые превзойдут существующие образцы по показателям размера, скорости и энергопотребления.

«Упаковка» новой памяти, формируемая на уровне кремниевой пластины (wafer-level-processed stacked package, WSP) состоит из четырех типов DRAM DDR2 плотностью 512 Мбит – другими словами, итоговая плотность равна 2 Гбит. Используя TSV-продукты плотностью 2 Гбит, Samsung может создать первые 4-Гб модули памяти DIMM с использованием технологии WSP.

В выпускаемой сегодня памяти MCP, чипы соединены между собой проволочными проводниками, проложенными в пространстве между ними. В случае WSP, непосредственно в толще кремния лазерным лучом «вырезаются» микроскопические отверстия, которые, будучи заполнены проводником (медью) избавляют от необходимости оставлять зазоры между чипами для прокладки проводников по бокам. По утверждению Samsung, это дает возможность создавать более компактные микросхемы.

Специальные меры позволили также повысить производительность и снизить энергопотребление новой памяти.

Напомним, о своих успехах в технологии TSV совсем недавно сообщала компания IBM.

Источник: Samsung